K4B4G1646D-BCK0 vs MT41K256M16HA-125 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BCK0 por Samsung Electronics y MT41K256M16HA-125 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BCK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,30 | $6,36 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps per pin | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Latencia CAS | 11 (programmable) | 11 |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 95°C (Tc) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Tamaño de memoria | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bit |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Tensión de alimentación | — | 1.35 V |
| Número de pines | — | 96 |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |