K4B4G1646D-BCK0 vs MT41K256M16HA-125 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BCK0 par Samsung Electronics et MT41K256M16HA-125 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BCK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,30 | $6,36 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Débit de données | 1600 Mbps per pin | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Latence CAS | 11 (programmable) | 11 |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Température de fonctionnement | 0°C to 95°C (Tc) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Largeur du bus de données | — | 16 bit |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Tension d'alimentation | — | 1.35 V |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |