K4B4G1646D-BCK0 vs MT41K256M16HA-125 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646D-BCK0 por Samsung Electronics e MT41K256M16HA-125 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646D-BCK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,30 | $6,36 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Taxa de dados | 1600 Mbps per pin | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Latência CAS | 11 (programmable) | 11 |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Temperatura de operação | 0°C to 95°C (Tc) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Tamanho da memória | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Largura do barramento de dados | — | 16 bit |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Tensão de alimentação | — | 1.35 V |
| Número de pinos | — | 96 |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |