K4RAH165VP-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RAH165VP-BCWM por Samsung Electronics y PDRQL8KCBF12-00 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RAH165VP-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VP-BCWM ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RAH165VP-BCWM | PDRQL8KCBF12-00 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $24,61 | $18,00 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| Organización de memoria | 1G x 16 | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps | 7200 MT/s |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | 1.1 V |
| Encapsulado | FBGA-106 | FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Interfaz | DDR5 (Double Data Rate 5) | Pseudo-differential DQ |
| Generation | DDR5, 16Gb B-die family | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Access Type | Synchronous, DLL enabled mode | — |
| Application Class | Mobile, tablet, consumer electronics DRAM | — |
| Packaging | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Burst Length | — | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Process Technology | — | 10nm-class |
| Lead-Free | — | Yes |