K4RAH165VP-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4RAH165VP-BCWM por Samsung Electronics e PDRQL8KCBF12-00 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4RAH165VP-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VP-BCWM ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4RAH165VP-BCWM | PDRQL8KCBF12-00 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $24,61 | $18,00 |
| Tipo de memória | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| Organização da memória | 1G x 16 | 2G x 8 |
| Taxa de dados | 5600 Mbps | 7200 MT/s |
| Tensão de alimentação | 1.1 V | 1.1 V |
| Encapsulamento | FBGA-106 | FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Interface | DDR5 (Double Data Rate 5) | Pseudo-differential DQ |
| Generation | DDR5, 16Gb B-die family | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Access Type | Synchronous, DLL enabled mode | — |
| Application Class | Mobile, tablet, consumer electronics DRAM | — |
| Packaging | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Burst Length | — | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Process Technology | — | 10nm-class |
| Lead-Free | — | Yes |