K4RAH165VP-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH165VP-BCWM par Samsung Electronics et PDRQL8KCBF12-00 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RAH165VP-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VP-BCWM ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH165VP-BCWM | PDRQL8KCBF12-00 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $24,61 | $18,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 16 | 2G x 8 |
| Débit de données | 5600 Mbps | 7200 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Boîtier | FBGA-106 | FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Interface | DDR5 (Double Data Rate 5) | Pseudo-differential DQ |
| Generation | DDR5, 16Gb B-die family | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Access Type | Synchronous, DLL enabled mode | — |
| Application Class | Mobile, tablet, consumer electronics DRAM | — |
| Packaging | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Burst Length | — | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Process Technology | — | 10nm-class |
| Lead-Free | — | Yes |