K4RCH046VM-2CLP vs K4RHE086VB-BCWM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RCH046VM-2CLP por Samsung Electronics y K4RHE086VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RCH046VM-2CLP | K4RHE086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $10,10 | $7,65 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 32 Gb | 24 Gb |
| Organización de memoria | 4G x 4 | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | 6400 Mbps | 5600 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | 1.1 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to 85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulado | 78-FBGA | 82 FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | x4 component | x8 |
| Interfaz | DDR5 (SSTL-style low-voltage signaling) | DDR5 (JEDEC) |
| Family Speed Range (Samsung DDR5) | up to 7200 Mbps | — |
| Family Density Range (Samsung DDR5) | 16 Gb to 32 Gb | — |
| Power Efficiency vs DDR4 | Approx. 30% greater | — |
| Product Status (per distributor listing) | Sample / Active supply via distribution | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Application Segment | — | Server / Data Center / Premium PC |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| On-Die ECC | — | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package height] |