K4RCH046VM-2CLP vs K4RHE086VB-BCWM Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RCH046VM-2CLP от Samsung Electronics и K4RHE086VB-BCWM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RCH046VM-2CLP K4RCH046VM-2CLP - 32Gb DDR5 SDRAM 6400Mbps | Samsung

K4RCH046VM-2CLP - 32Gb DDR5 SDRAM 6400Mbps | Samsung

K4RCH046VM-2CLP ✓ Активен
Samsung Electronics
K4RHE086VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RCH046VM-2CLP K4RHE086VB-BCWM
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $10,10 $7,65
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 32 Gb 24 Gb
Организация памяти 4G x 4 2G x 8
Скорость передачи данных 6400 Mbps 5600 Mbps
Напряжение питания 1.1 V 1.1 V
Рабочая температура 0C to 85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Корпус 78-FBGA 82 FBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Configuration x4 component x8
Интерфейс DDR5 (SSTL-style low-voltage signaling) DDR5 (JEDEC)
Family Speed Range (Samsung DDR5) up to 7200 Mbps —
Family Density Range (Samsung DDR5) 16 Gb to 32 Gb —
Power Efficiency vs DDR4 Approx. 30% greater —
Product Status (per distributor listing) Sample / Active supply via distribution —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Application Segment — Server / Data Center / Premium PC
Manufacturer — Samsung Semiconductor
Access Time / CAS Latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
On-Die ECC — [DATA_NEEDED: on-die ECC support]
Package Height — [DATA_NEEDED: package height]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену