K4RCH046VM-2CLP vs K4RHE086VB-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RCH046VM-2CLP par Samsung Electronics et K4RHE086VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RCH046VM-2CLP | K4RHE086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $10,10 | $7,65 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 32 Gb | 24 Gb |
| Organisation de la mémoire | 4G x 4 | 2G x 8 |
| Débit de données | 6400 Mbps | 5600 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Température de fonctionnement | 0C to 85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 78-FBGA | 82 FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | x4 component | x8 |
| Interface | DDR5 (SSTL-style low-voltage signaling) | DDR5 (JEDEC) |
| Family Speed Range (Samsung DDR5) | up to 7200 Mbps | — |
| Family Density Range (Samsung DDR5) | 16 Gb to 32 Gb | — |
| Power Efficiency vs DDR4 | Approx. 30% greater | — |
| Product Status (per distributor listing) | Sample / Active supply via distribution | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Application Segment | — | Server / Data Center / Premium PC |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| On-Die ECC | — | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package height] |