K4RCH046VM-2CLP vs K4RHE086VB-BCWM 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4RCH046VM-2CLP 제조: Samsung Electronics 및 K4RHE086VB-BCWM 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K4RCH046VM-2CLP K4RCH046VM-2CLP - 32Gb DDR5 SDRAM 6400Mbps | Samsung

K4RCH046VM-2CLP - 32Gb DDR5 SDRAM 6400Mbps | Samsung

K4RCH046VM-2CLP ✓ 활성
Samsung Electronics
K4RHE086VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K4RCH046VM-2CLP K4RHE086VB-BCWM
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $10.10 $7.65
메모리 유형 DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 32 Gb 24 Gb
메모리 구성 4G x 4 2G x 8
데이터 속도 6400 Mbps 5600 Mbps
공급 전압 1.1 V 1.1 V
동작 온도 0C to 85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
패키지 78-FBGA 82 FBGA
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Configuration x4 component x8
인터페이스 DDR5 (SSTL-style low-voltage signaling) DDR5 (JEDEC)
Family Speed Range (Samsung DDR5) up to 7200 Mbps —
Family Density Range (Samsung DDR5) 16 Gb to 32 Gb —
Power Efficiency vs DDR4 Approx. 30% greater —
Product Status (per distributor listing) Sample / Active supply via distribution —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Application Segment — Server / Data Center / Premium PC
Manufacturer — Samsung Semiconductor
Access Time / CAS Latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
On-Die ECC — [DATA_NEEDED: on-die ECC support]
Package Height — [DATA_NEEDED: package height]

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청