K4RHE086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BIQK Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RHE086VB-BCWM por Samsung Electronics y K4RAH086VB-BIQK por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RHE086VB-BCWM | K4RAH086VB-BIQK |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,65 | $4,25 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 16 Gb |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps | 4800 Mbps/pin |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | — |
| Encapsulado | 82 FBGA | 82FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Interfaz | DDR5 (JEDEC) | DDR5 (CA reduced pin count) |
| Configuration | x8 | X8 |
| Application Segment | Server / Data Center / Premium PC | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| Estado RoHS | unknown | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| Core Supply Voltage | — | 1.1 V (nominal) |
| Speed Grade | — | BIQK (-BIQK bin) |
| ECC | — | On-die ECC (DDR5 standard) |
| Burst Length | — | 16 / 32 |
| Operating Mode | — | DLL enabled |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |