K4RHE086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BIQK 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4RHE086VB-BCWM 제조: Samsung Electronics 및 K4RAH086VB-BIQK 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K4RHE086VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM ✓ 활성
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K4RHE086VB-BCWM K4RAH086VB-BIQK
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $7.65 $4.25
메모리 유형 DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 24 Gb 16 Gb
메모리 구성 2G x 8 2G x 8
데이터 속도 5600 Mbps 4800 Mbps/pin
공급 전압 1.1 V —
패키지 82 FBGA 82FBGA
실장 유형 Surface Mount —
인터페이스 DDR5 (JEDEC) DDR5 (CA reduced pin count)
Configuration x8 X8
Application Segment Server / Data Center / Premium PC —
Manufacturer Samsung Semiconductor —
RoHS 상태 unknown Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA)
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Time / CAS Latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
On-Die ECC [DATA_NEEDED: on-die ECC support] —
Package Height [DATA_NEEDED: package height] —
Core Supply Voltage — 1.1 V (nominal)
Speed Grade — BIQK (-BIQK bin)
ECC — On-die ECC (DDR5 standard)
Burst Length — 16 / 32
Operating Mode — DLL enabled
CAS 레이턴시 — [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate specification]
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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