K4RHE086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BIQK Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RHE086VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RAH086VB-BIQK par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RHE086VB-BCWM | K4RAH086VB-BIQK |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,65 | $4,25 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Débit de données | 5600 Mbps | 4800 Mbps/pin |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | — |
| Boîtier | 82 FBGA | 82FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Interface | DDR5 (JEDEC) | DDR5 (CA reduced pin count) |
| Configuration | x8 | X8 |
| Application Segment | Server / Data Center / Premium PC | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| Statut RoHS | unknown | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| Core Supply Voltage | — | 1.1 V (nominal) |
| Speed Grade | — | BIQK (-BIQK bin) |
| ECC | — | On-die ECC (DDR5 standard) |
| Burst Length | — | 16 / 32 |
| Operating Mode | — | DLL enabled |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |