K4RHE086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BIQK Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RHE086VB-BCWM от Samsung Electronics и K4RAH086VB-BIQK от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RHE086VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM ✓ Активен
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RHE086VB-BCWM K4RAH086VB-BIQK
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $7,65 $4,25
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 24 Gb 16 Gb
Организация памяти 2G x 8 2G x 8
Скорость передачи данных 5600 Mbps 4800 Mbps/pin
Напряжение питания 1.1 V —
Корпус 82 FBGA 82FBGA
Тип монтажа Surface Mount —
Интерфейс DDR5 (JEDEC) DDR5 (CA reduced pin count)
Configuration x8 X8
Application Segment Server / Data Center / Premium PC —
Manufacturer Samsung Semiconductor —
Статус RoHS unknown Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA)
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Time / CAS Latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
On-Die ECC [DATA_NEEDED: on-die ECC support] —
Package Height [DATA_NEEDED: package height] —
Core Supply Voltage — 1.1 V (nominal)
Speed Grade — BIQK (-BIQK bin)
ECC — On-die ECC (DDR5 standard)
Burst Length — 16 / 32
Operating Mode — DLL enabled
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate specification]
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену