K6X0808C1D-BF70 vs K6X0808C1D-BF70T Comparación
Comparación detallada lado a lado de K6X0808C1D-BF70 por Samsung Electronics y K6X0808C1D-BF70T por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K6X0808C1D-BF70 | K6X0808C1D-BF70T |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Fin de vida | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,85 | $1,05 |
| Tipo de memoria | Asynchronous SRAM (CMOS) | SRAM - Asynchronous |
| Density | 256 Kbit | — |
| Organización de memoria | 32K x 8 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Interfaz | Parallel | — |
| Technology | CMOS | — |
| Encapsulado | 28-SOP (PDSO28) | 28-SOP |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Tensión de alimentación | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | — |
| Operating Current (active) | [DATA_NEEDED: Operating Current] | — |
| Standby Current (CMOS) | [DATA_NEEDED: Standby Current] | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) | -40C to +85C (TA) |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Data Retention | Volatile (battery-backup capable with CE control) | — |
| I/O Type | Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Address Bus | A0-A14 (15 address lines) | — |
| Tamaño de memoria | — | 256 Kbit |
| Memory Organization | — | 32K x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 70 ns |
| Voltage - Supply | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Process Technology | — | CMOS |
| Address Bus Width | — | 15 bit (A0-A14) |
| Ancho del bus de datos | — | 8 bit (I/O0-I/O7) |
| I/O Compatibility | — | TTL compatible |
| Refresh Requirement | — | None (fully static operation) |