K6X0808C1D-BF70 vs K6X0808C1D-BF70T 비교
다음의 상세 나란히 비교: K6X0808C1D-BF70 제조: Samsung Electronics 및 K6X0808C1D-BF70T 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K6X0808C1D-BF70 | K6X0808C1D-BF70T |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 수명 종료 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.85 | $1.05 |
| 메모리 유형 | Asynchronous SRAM (CMOS) | SRAM - Asynchronous |
| Density | 256 Kbit | — |
| 메모리 구성 | 32K x 8 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| Technology | CMOS | — |
| 패키지 | 28-SOP (PDSO28) | 28-SOP |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 공급 전압 | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | — |
| Operating Current (active) | [DATA_NEEDED: Operating Current] | — |
| Standby Current (CMOS) | [DATA_NEEDED: Standby Current] | — |
| 동작 온도 | 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) | -40C to +85C (TA) |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Data Retention | Volatile (battery-backup capable with CE control) | — |
| I/O Type | Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Address Bus | A0-A14 (15 address lines) | — |
| 메모리 크기 | — | 256 Kbit |
| Memory Organization | — | 32K x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 70 ns |
| Voltage - Supply | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Process Technology | — | CMOS |
| Address Bus Width | — | 15 bit (A0-A14) |
| 데이터 버스 폭 | — | 8 bit (I/O0-I/O7) |
| I/O Compatibility | — | TTL compatible |
| Refresh Requirement | — | None (fully static operation) |