K6X0808C1D-BF70 vs K6X0808C1D-BF70T Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K6X0808C1D-BF70 par Samsung Electronics et K6X0808C1D-BF70T par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K6X0808C1D-BF70 | K6X0808C1D-BF70T |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Fin de vie | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,85 | $1,05 |
| Type de mémoire | Asynchronous SRAM (CMOS) | SRAM - Asynchronous |
| Density | 256 Kbit | — |
| Organisation de la mémoire | 32K x 8 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Interface | Parallel | — |
| Technology | CMOS | — |
| Boîtier | 28-SOP (PDSO28) | 28-SOP |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Tension d'alimentation | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | — |
| Operating Current (active) | [DATA_NEEDED: Operating Current] | — |
| Standby Current (CMOS) | [DATA_NEEDED: Standby Current] | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) | -40C to +85C (TA) |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Data Retention | Volatile (battery-backup capable with CE control) | — |
| I/O Type | Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Address Bus | A0-A14 (15 address lines) | — |
| Taille de mémoire | — | 256 Kbit |
| Memory Organization | — | 32K x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 70 ns |
| Voltage - Supply | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Process Technology | — | CMOS |
| Address Bus Width | — | 15 bit (A0-A14) |
| Largeur du bus de données | — | 8 bit (I/O0-I/O7) |
| I/O Compatibility | — | TTL compatible |
| Refresh Requirement | — | None (fully static operation) |