K6X1008C2D-TF55 vs K6X0808C1D-BF55 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K6X1008C2D-TF55 por Samsung Electronics y K6X0808C1D-BF55 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung
K6X1008C2D-TF55 ✗ Fin de vidaSamsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K6X1008C2D-TF55 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Fin de vida | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,35 | $1,85 |
| Tipo de memoria | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| Tamaño de memoria | 1 Mbit | 256 Kbit |
| Organización de memoria | 128K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time (tAA) | 55 ns | — |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (Vcc) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Operating Current | 35 mA | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Technology | Low Power Full CMOS | CMOS |
| Encapsulado | 32-TSOP REVERSE | 28-SOP |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Options | 55 ns, 70 ns | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Memory Format | Volatile (SRAM) | SRAM |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | N/A (asynchronous) |
| Estado RoHS | RoHS: Yes (per distributor listing) | unknown |
| Access Time | — | 55 ns |
| Tensión de alimentación | — | 5 V |
| Control Signals | — | CE, OE, WE |
| Refresh | — | Not required (static memory) |