K6X1008C2D-TF55 vs K6X0808C1D-BF55 比較
詳細な並列比較: K6X1008C2D-TF55 メーカー: Samsung Electronics および K6X0808C1D-BF55 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K6X1008C2D-TF55 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | DRAM |
| ライフサイクル状態 | 製造終了 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.35 | $1.85 |
| メモリタイプ | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| メモリサイズ | 1 Mbit | 256 Kbit |
| メモリ構成 | 128K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time (tAA) | 55 ns | — |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (Vcc) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Operating Current | 35 mA | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Technology | Low Power Full CMOS | CMOS |
| パッケージ | 32-TSOP REVERSE | 28-SOP |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Options | 55 ns, 70 ns | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Memory Format | Volatile (SRAM) | SRAM |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | N/A (asynchronous) |
| RoHS ステータス | RoHS: Yes (per distributor listing) | unknown |
| Access Time | — | 55 ns |
| 電源電圧 | — | 5 V |
| Control Signals | — | CE, OE, WE |
| Refresh | — | Not required (static memory) |