K6X1008C2D-TF55 vs K6X0808C1D-BF55 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K6X1008C2D-TF55 от Samsung Electronics и K6X0808C1D-BF55 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung
K6X1008C2D-TF55 ✗ Снят с производстваSamsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K6X1008C2D-TF55 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Снято с производства | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,35 | $1,85 |
| Тип памяти | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| Размер памяти | 1 Mbit | 256 Kbit |
| Организация памяти | 128K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time (tAA) | 55 ns | — |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (Vcc) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Operating Current | 35 mA | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Technology | Low Power Full CMOS | CMOS |
| Корпус | 32-TSOP REVERSE | 28-SOP |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Options | 55 ns, 70 ns | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Memory Format | Volatile (SRAM) | SRAM |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | N/A (asynchronous) |
| Статус RoHS | RoHS: Yes (per distributor listing) | unknown |
| Access Time | — | 55 ns |
| Напряжение питания | — | 5 V |
| Control Signals | — | CE, OE, WE |
| Refresh | — | Not required (static memory) |