K6X1008C2D-TF55 vs K6X0808C1D-BF55 비교
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Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K6X1008C2D-TF55 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 수명 종료 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.35 | $1.85 |
| 메모리 유형 | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| 메모리 크기 | 1 Mbit | 256 Kbit |
| 메모리 구성 | 128K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time (tAA) | 55 ns | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (Vcc) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Operating Current | 35 mA | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Technology | Low Power Full CMOS | CMOS |
| 패키지 | 32-TSOP REVERSE | 28-SOP |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Options | 55 ns, 70 ns | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Memory Format | Volatile (SRAM) | SRAM |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | N/A (asynchronous) |
| RoHS 상태 | RoHS: Yes (per distributor listing) | unknown |
| Access Time | — | 55 ns |
| 공급 전압 | — | 5 V |
| Control Signals | — | CE, OE, WE |
| Refresh | — | Not required (static memory) |