K9XXG08U0M vs K9PDG08U5M Comparación

Comparación detallada lado a lado de K9XXG08U0M por Samsung Electronics y K9PDG08U5M por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K9XXG08U0M K9XXG08U0M - 8Gbit SLC NAND Flash 3.3V | Samsung

K9XXG08U0M - 8Gbit SLC NAND Flash 3.3V | Samsung

K9XXG08U0M Obsolete
Samsung Electronics
K9PDG08U5M K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M ✗ Fin de vida

Comparación de especificaciones

Parámetro K9XXG08U0M K9PDG08U5M
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs EEPROM
Estado del ciclo de vida Obsolete Fin de vida
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $5,60 $4,20
Tipo de memoria NAND Flash NAND Flash (SLC)
Density 8 G-bit 4 Gbit
Organización de memoria 1G x 8 bit x8 (multiplexed I/O)
Spare Area 256 M-bit (per K9K8G08U0M) —
Tensión de alimentación 2.7 V to 3.6 V (3.3V device) [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Interfaz 8-bit parallel NAND (command/address/data multiplexed) —
Page Read Time 20 us [DATA_NEEDED: page read time]
Encapsulado 48-pin TSOP-I TSOP1-48
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Interface Standard Samsung legacy NAND command set —
Bad Block Management Factory bad block marking (host-managed ECC required) —
Cell Type SLC (K9K8G08U0M) / MLC (K9G8G08U0M variants) —
ECC Requirement External ECC by host controller —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Nivel MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Page Size — [DATA_NEEDED: page size]
Block Size — [DATA_NEEDED: block size]
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Block Erase Time — [DATA_NEEDED: block erase time]
Access Interface — Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control
Ready/Busy Output — Yes (R/B, open-drain)
Write Protect Pin — Yes (/WP)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

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