K9XXG08U0M vs K9PDG08U5M 비교
다음의 상세 나란히 비교: K9XXG08U0M 제조: Samsung Electronics 및 K9PDG08U5M 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K9XXG08U0M | K9PDG08U5M |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | EEPROM |
| 수명 주기 상태 | Obsolete | 수명 종료 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.60 | $4.20 |
| 메모리 유형 | NAND Flash | NAND Flash (SLC) |
| Density | 8 G-bit | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | 1G x 8 bit | x8 (multiplexed I/O) |
| Spare Area | 256 M-bit (per K9K8G08U0M) | — |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V (3.3V device) | [DATA_NEEDED: supply voltage range] |
| 인터페이스 | 8-bit parallel NAND (command/address/data multiplexed) | — |
| Page Read Time | 20 us | [DATA_NEEDED: page read time] |
| 패키지 | 48-pin TSOP-I | TSOP1-48 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Access Interface Standard | Samsung legacy NAND command set | — |
| Bad Block Management | Factory bad block marking (host-managed ECC required) | — |
| Cell Type | SLC (K9K8G08U0M) / MLC (K9G8G08U0M variants) | — |
| ECC Requirement | External ECC by host controller | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Page Size | — | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | — | [DATA_NEEDED: block size] |
| Page Program Time | — | [DATA_NEEDED: page program time] |
| Block Erase Time | — | [DATA_NEEDED: block erase time] |
| Access Interface | — | Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control |
| Ready/Busy Output | — | Yes (R/B, open-drain) |
| Write Protect Pin | — | Yes (/WP) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |