K9XXG08U0M vs K9PDG08U5M Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9XXG08U0M par Samsung Electronics et K9PDG08U5M par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K9XXG08U0M K9XXG08U0M - 8Gbit SLC NAND Flash 3.3V | Samsung

K9XXG08U0M - 8Gbit SLC NAND Flash 3.3V | Samsung

K9XXG08U0M Obsolete
Samsung Electronics
K9PDG08U5M K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M ✗ Fin de vie

Comparaison des spécifications

Paramètre K9XXG08U0M K9PDG08U5M
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs EEPROM
Statut du cycle de vie Obsolete Fin de vie
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,60 $4,20
Type de mémoire NAND Flash NAND Flash (SLC)
Density 8 G-bit 4 Gbit
Organisation de la mémoire 1G x 8 bit x8 (multiplexed I/O)
Spare Area 256 M-bit (per K9K8G08U0M) —
Tension d'alimentation 2.7 V to 3.6 V (3.3V device) [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Interface 8-bit parallel NAND (command/address/data multiplexed) —
Page Read Time 20 us [DATA_NEEDED: page read time]
Boîtier 48-pin TSOP-I TSOP1-48
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Interface Standard Samsung legacy NAND command set —
Bad Block Management Factory bad block marking (host-managed ECC required) —
Cell Type SLC (K9K8G08U0M) / MLC (K9G8G08U0M variants) —
ECC Requirement External ECC by host controller —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Page Size — [DATA_NEEDED: page size]
Block Size — [DATA_NEEDED: block size]
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Block Erase Time — [DATA_NEEDED: block erase time]
Access Interface — Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control
Ready/Busy Output — Yes (R/B, open-drain)
Write Protect Pin — Yes (/WP)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis