K9XXG08U0M vs K9XXG08UXM Comparación

Comparación detallada lado a lado de K9XXG08U0M por Samsung Electronics y K9XXG08UXM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K9XXG08U0M K9XXG08U0M - 8Gbit SLC NAND Flash 3.3V | Samsung

K9XXG08U0M - 8Gbit SLC NAND Flash 3.3V | Samsung

K9XXG08U0M Obsolete
Samsung Electronics
K9XXG08UXM K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM Obsolete

Comparación de especificaciones

Parámetro K9XXG08U0M K9XXG08UXM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Obsolete Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $5,60 $0,00
Tipo de memoria NAND Flash —
Density 8 G-bit —
Organización de memoria 1G x 8 bit —
Spare Area 256 M-bit (per K9K8G08U0M) —
Tensión de alimentación 2.7 V to 3.6 V (3.3V device) 2.7 V to 3.6 V
Interfaz 8-bit parallel NAND (command/address/data multiplexed) —
Page Read Time 20 us —
Encapsulado 48-pin TSOP-I 48-pin TSOP
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Access Interface Standard Samsung legacy NAND command set —
Bad Block Management Factory bad block marking (host-managed ECC required) —
Cell Type SLC (K9K8G08U0M) / MLC (K9G8G08U0M variants) SLC (single-level cell) NAND
ECC Requirement External ECC by host controller —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Nivel MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Tamaño de memoria — 2G x 8 Bit (2Gb)
Memory Cell Array Organization — (1G + 32M) bit x 8 bit
Data Register — (2K + 64) bit x 8 bit
Page Size — (2K + 64) Byte
Block Size — (256K + 8K) Byte
Program Operation — Automatic Page Program, (2K + 64) Byte
Erase Operation — Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte
I/O Interface — 8-bit multiplexed address/data/command
Control Signals — CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B
Access Time (tR) — [DATA_NEEDED: Access Time]

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