K9XXG08U0M vs K9XXG08UXM Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9XXG08U0M par Samsung Electronics et K9XXG08UXM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K9XXG08U0M K9XXG08U0M - 8Gbit SLC NAND Flash 3.3V | Samsung

K9XXG08U0M - 8Gbit SLC NAND Flash 3.3V | Samsung

K9XXG08U0M Obsolete
Samsung Electronics
K9XXG08UXM K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM Obsolete

Comparaison des spécifications

Paramètre K9XXG08U0M K9XXG08UXM
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Obsolete Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,60 $0,00
Type de mémoire NAND Flash —
Density 8 G-bit —
Organisation de la mémoire 1G x 8 bit —
Spare Area 256 M-bit (per K9K8G08U0M) —
Tension d'alimentation 2.7 V to 3.6 V (3.3V device) 2.7 V to 3.6 V
Interface 8-bit parallel NAND (command/address/data multiplexed) —
Page Read Time 20 us —
Boîtier 48-pin TSOP-I 48-pin TSOP
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Access Interface Standard Samsung legacy NAND command set —
Bad Block Management Factory bad block marking (host-managed ECC required) —
Cell Type SLC (K9K8G08U0M) / MLC (K9G8G08U0M variants) SLC (single-level cell) NAND
ECC Requirement External ECC by host controller —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Taille de mémoire — 2G x 8 Bit (2Gb)
Memory Cell Array Organization — (1G + 32M) bit x 8 bit
Data Register — (2K + 64) bit x 8 bit
Page Size — (2K + 64) Byte
Block Size — (256K + 8K) Byte
Program Operation — Automatic Page Program, (2K + 64) Byte
Erase Operation — Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte
I/O Interface — 8-bit multiplexed address/data/command
Control Signals — CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B
Access Time (tR) — [DATA_NEEDED: Access Time]

Fiches techniques et ressources

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