K9XXG08U0M vs K9XXG08UXM Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K9XXG08U0M von Samsung Electronics und K9XXG08UXM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K9XXG08U0M K9XXG08U0M - 8Gbit SLC NAND Flash 3.3V | Samsung

K9XXG08U0M - 8Gbit SLC NAND Flash 3.3V | Samsung

K9XXG08U0M Obsolete
Samsung Electronics
K9XXG08UXM K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM Obsolete

Spezifikationsvergleich

Parameter K9XXG08U0M K9XXG08UXM
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Obsolete Obsolete
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,60 $0,00
Speichertyp NAND Flash —
Density 8 G-bit —
Speicherorganisation 1G x 8 bit —
Spare Area 256 M-bit (per K9K8G08U0M) —
Versorgungsspannung 2.7 V to 3.6 V (3.3V device) 2.7 V to 3.6 V
Schnittstelle 8-bit parallel NAND (command/address/data multiplexed) —
Page Read Time 20 us —
Gehäuse 48-pin TSOP-I 48-pin TSOP
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Access Interface Standard Samsung legacy NAND command set —
Bad Block Management Factory bad block marking (host-managed ECC required) —
Cell Type SLC (K9K8G08U0M) / MLC (K9G8G08U0M variants) SLC (single-level cell) NAND
ECC Requirement External ECC by host controller —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Speichergröße — 2G x 8 Bit (2Gb)
Memory Cell Array Organization — (1G + 32M) bit x 8 bit
Data Register — (2K + 64) bit x 8 bit
Page Size — (2K + 64) Byte
Block Size — (256K + 8K) Byte
Program Operation — Automatic Page Program, (2K + 64) Byte
Erase Operation — Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte
I/O Interface — 8-bit multiplexed address/data/command
Control Signals — CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B
Access Time (tR) — [DATA_NEEDED: Access Time]

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