K9XXG08U0M vs K9XXG08UXM 比較
詳細な並列比較: K9XXG08U0M メーカー: Samsung Electronics および K9XXG08UXM メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K9XXG08U0M | K9XXG08UXM |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | Obsolete | Obsolete |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.60 | $0.00 |
| メモリタイプ | NAND Flash | — |
| Density | 8 G-bit | — |
| メモリ構成 | 1G x 8 bit | — |
| Spare Area | 256 M-bit (per K9K8G08U0M) | — |
| 電源電圧 | 2.7 V to 3.6 V (3.3V device) | 2.7 V to 3.6 V |
| インターフェース | 8-bit parallel NAND (command/address/data multiplexed) | — |
| Page Read Time | 20 us | — |
| パッケージ | 48-pin TSOP-I | 48-pin TSOP |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Access Interface Standard | Samsung legacy NAND command set | — |
| Bad Block Management | Factory bad block marking (host-managed ECC required) | — |
| Cell Type | SLC (K9K8G08U0M) / MLC (K9G8G08U0M variants) | SLC (single-level cell) NAND |
| ECC Requirement | External ECC by host controller | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| メモリサイズ | — | 2G x 8 Bit (2Gb) |
| Memory Cell Array Organization | — | (1G + 32M) bit x 8 bit |
| Data Register | — | (2K + 64) bit x 8 bit |
| Page Size | — | (2K + 64) Byte |
| Block Size | — | (256K + 8K) Byte |
| Program Operation | — | Automatic Page Program, (2K + 64) Byte |
| Erase Operation | — | Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte |
| I/O Interface | — | 8-bit multiplexed address/data/command |
| Control Signals | — | CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B |
| Access Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: Access Time] |