LPC55S28JBD64E vs LPC5526JBD64E Comparación
Comparación detallada lado a lado de LPC55S28JBD64E por NXP Semiconductors y LPC5526JBD64E por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | LPC55S28JBD64E | LPC5526JBD64E |
|---|---|---|
| Marca | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Categoría | Microcontrollers | Microcontrollers |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $3,44 | $2,95 |
| Core Processor | Arm Cortex-M33 | ARM Cortex-M33 (r0p3) |
| Core Size | 32-Bit | 32-Bit |
| Frecuencia de reloj máxima | 150 MHz | 150 MHz |
| Flash Memory Size | 512 KB (512K x 8) | — |
| SRAM Size | 128 KB | — |
| Series | LPC55S2x | — |
| Encapsulado | 64-HTQFP (10x10 mm) | 64-HTQFP (10x10 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Security Features | TrustZone, PUF-based security (S-series) | — |
| Memory Protection Unit | Yes (MPU) | Yes (MPU) |
| Interrupt Controller | NVIC with NMI input (selectable sources) | NVIC (built-in) |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| Tensión de alimentación | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | [DATA_NEEDED: supply voltage range] |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 | 3 |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | 260 C |
| Maximum Time at Peak Reflow | 30 s | — |
| Terminal Finish | Tin (JESD-609 code e3) | Tin (JESD-609 code e3) |
| Estado RoHS | Compliant (e3 lead-free finish) | Compliant |
| Process Technology | 40 nm NVM | 40 nm NVM |
| Flash Memory | — | 256KB (256K x 8) |
| RAM Size | — | [DATA_NEEDED: SRAM size] |
| Security Feature | — | ARM TrustZone |
| NMI Input | — | Yes, with selection of sources |
| Max Time At Peak Reflow | — | 30 s |
| Estado del ciclo de vida | — | Active |