M29F160FT55N3E2 vs M29F160FT55N3F2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F160FT55N3E2 por Micron Technology y M29F160FT55N3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

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M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

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Comparación de especificaciones

Parámetro M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3F2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Flash
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $4,90
Tipo de memoria NOR Flash NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Memory Organization 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8) —
Density 16777 kbits 16 Mbit (16777 kbits)
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Tensión de alimentación 5 V —
Interfaz Parallel Parallel
Boot Block Top Boot Block —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive Grade 3 —
Encapsulado 48-TSOP I 48-Pin TSOP
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Bus Width 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin) —
Program/Erase Embedded program/erase controller (byte/word algorithms) —
Factory Erase State All bits erased to 1 —
Estado RoHS Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Organización de memoria — 1M x 16 / 2M x 8
Supply Voltage (VCC) — 5 V (operating 4.5 V)
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Packaging — Tape & Reel
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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