M29F160FT55N3E2 vs M29F160FT55N3F2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29F160FT55N3E2 par Micron Technology et M29F160FT55N3F2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 ✓ Actif
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3F2
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Flash
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $4,90
Type de mémoire NOR Flash NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Memory Organization 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8) —
Density 16777 kbits 16 Mbit (16777 kbits)
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Tension d'alimentation 5 V —
Interface Parallel Parallel
Boot Block Top Boot Block —
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive Grade 3 —
Boîtier 48-TSOP I 48-Pin TSOP
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Bus Width 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin) —
Program/Erase Embedded program/erase controller (byte/word algorithms) —
Factory Erase State All bits erased to 1 —
Statut RoHS Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Organisation de la mémoire — 1M x 16 / 2M x 8
Supply Voltage (VCC) — 5 V (operating 4.5 V)
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Packaging — Tape & Reel
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fiches techniques et ressources

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