M29F160FT55N3E2 vs M29F160FT55N3F2 비교
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Micron Technology
M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48
M29F160FT55N3E2 ✓ 활성Micron Technology
M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology
M29F160FT55N3F2 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | M29F160FT55N3E2 | M29F160FT55N3F2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Flash |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $4.90 |
| 메모리 유형 | NOR Flash | NOR Flash (Parallel, Asynchronous) |
| Memory Organization | 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8) | — |
| Density | 16777 kbits | 16 Mbit (16777 kbits) |
| Number of Words | 1000 k | 1000 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| 공급 전압 | 5 V | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Boot Block | Top Boot Block | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Temperature Grade | Automotive Grade 3 | — |
| 패키지 | 48-TSOP I | 48-Pin TSOP |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Bus Width | 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin) | — |
| Program/Erase | Embedded program/erase controller (byte/word algorithms) | — |
| Factory Erase State | All bits erased to 1 | — |
| RoHS 상태 | Compliant (E suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| 메모리 구성 | — | 1M x 16 / 2M x 8 |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V (operating 4.5 V) |
| Synchronous / Asynchronous | — | Asynchronous |
| Boot Block Location | — | Top boot block (FT) |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| Program / Erase | — | Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |