M29F160FT55N3E2 vs M29F160FT55N3F2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29F160FT55N3E2 от Micron Technology и M29F160FT55N3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 ✓ Активен
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3F2
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Flash
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $4,90
Тип памяти NOR Flash NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Memory Organization 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8) —
Density 16777 kbits 16 Mbit (16777 kbits)
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Напряжение питания 5 V —
Интерфейс Parallel Parallel
Boot Block Top Boot Block —
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive Grade 3 —
Корпус 48-TSOP I 48-Pin TSOP
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Bus Width 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin) —
Program/Erase Embedded program/erase controller (byte/word algorithms) —
Factory Erase State All bits erased to 1 —
Статус RoHS Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Организация памяти — 1M x 16 / 2M x 8
Supply Voltage (VCC) — 5 V (operating 4.5 V)
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Packaging — Tape & Reel
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену