M29F160FT55N3E2 vs M29F160FT55N3F2 比較

詳細な並列比較: M29F160FT55N3E2 メーカー: Micron Technology および M29F160FT55N3F2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 ✓ 生産中
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3F2
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Flash
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $4.90
メモリタイプ NOR Flash NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Memory Organization 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8) —
Density 16777 kbits 16 Mbit (16777 kbits)
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
電源電圧 5 V —
インターフェース Parallel Parallel
Boot Block Top Boot Block —
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive Grade 3 —
パッケージ 48-TSOP I 48-Pin TSOP
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Bus Width 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin) —
Program/Erase Embedded program/erase controller (byte/word algorithms) —
Factory Erase State All bits erased to 1 —
RoHS ステータス Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
メモリ構成 — 1M x 16 / 2M x 8
Supply Voltage (VCC) — 5 V (operating 4.5 V)
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Packaging — Tape & Reel
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
MSLレベル — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼