M29F800FT55N3F2 vs M29F400FT55N3F2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F800FT55N3F2 por Micron Technology y M29F400FT55N3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F800FT55N3F2 M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 ✓ Activo
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29F800FT55N3F2 M29F400FT55N3F2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs EEPROM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $1,51
Tipo de memoria NOR Flash, Parallel NOR Flash (SLC)
Tamaño de memoria 8 Mbit 4 Mbit
Organización de memoria 1M x 8 bit / 512K x 16 bit 256K x 16
Tensión de alimentación 5 V (single supply) 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Interfaz Parallel Parallel
Boot Block Architecture Top boot block (T) —
Programming Voltage 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) Single supply (no 12 V VPP required)
Encapsulado 48-pin TSOP 44-SO (SOP-44)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: min operating temperature]
Erase Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: ICC read] —
Block Architecture — Top boot block
Temperature Grade — Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code)
Compliance Suffix — F2 (RoHS-compliant, lead-free plating)
Technology — Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase
Max Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

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