M29F800FT55N3F2 vs M29F400FT55N3F2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29F800FT55N3F2 por Micron Technology e M29F400FT55N3F2 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29F800FT55N3F2 M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 ✓ Ativo
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29F800FT55N3F2 M29F400FT55N3F2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs EEPROM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $1,51
Tipo de memória NOR Flash, Parallel NOR Flash (SLC)
Tamanho da memória 8 Mbit 4 Mbit
Organização da memória 1M x 8 bit / 512K x 16 bit 256K x 16
Tensão de alimentação 5 V (single supply) 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Interface Parallel Parallel
Boot Block Architecture Top boot block (T) —
Programming Voltage 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) Single supply (no 12 V VPP required)
Encapsulamento 48-pin TSOP 44-SO (SOP-44)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: min operating temperature]
Erase Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: ICC read] —
Block Architecture — Top boot block
Temperature Grade — Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code)
Compliance Suffix — F2 (RoHS-compliant, lead-free plating)
Technology — Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase
Max Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

Fichas técnicas e recursos

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