M29F800FT55N3F2 vs M29F400FT55N3F2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29F800FT55N3F2 от Micron Technology и M29F400FT55N3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F400FT55N3F2 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M29F800FT55N3F2 | M29F400FT55N3F2 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | EEPROM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,78 | $1,51 |
| Тип памяти | NOR Flash, Parallel | NOR Flash (SLC) |
| Размер памяти | 8 Mbit | 4 Mbit |
| Организация памяти | 1M x 8 bit / 512K x 16 bit | 256K x 16 |
| Напряжение питания | 5 V (single supply) | 5 V |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top boot block (T) | — |
| Programming Voltage | 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) | Single supply (no 12 V VPP required) |
| Корпус | 48-pin TSOP | 44-SO (SOP-44) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: min operating temperature] |
| Erase Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: ICC read] | — |
| Block Architecture | — | Top boot block |
| Temperature Grade | — | Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) |
| Compliance Suffix | — | F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) |
| Technology | — | Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase |
| Max Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |