M29F800FT55N3F2 vs M29F400FT55N3F2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29F800FT55N3F2 par Micron Technology et M29F400FT55N3F2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29F800FT55N3F2 M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 ✓ Actif
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29F800FT55N3F2 M29F400FT55N3F2
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs EEPROM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $1,51
Type de mémoire NOR Flash, Parallel NOR Flash (SLC)
Taille de mémoire 8 Mbit 4 Mbit
Organisation de la mémoire 1M x 8 bit / 512K x 16 bit 256K x 16
Tension d'alimentation 5 V (single supply) 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Interface Parallel Parallel
Boot Block Architecture Top boot block (T) —
Programming Voltage 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) Single supply (no 12 V VPP required)
Boîtier 48-pin TSOP 44-SO (SOP-44)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: min operating temperature]
Erase Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: ICC read] —
Block Architecture — Top boot block
Temperature Grade — Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code)
Compliance Suffix — F2 (RoHS-compliant, lead-free plating)
Technology — Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase
Max Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

Fiches techniques et ressources

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