M29W400FT55N3E vs M29W320DB70N3E Comparación
Comparación detallada lado a lado de M29W400FT55N3E por Micron Technology y M29W320DB70N3E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | M29W400FT55N3E | M29W320DB70N3E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Flash |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,80 | $1,95 |
| Tipo de memoria | Flash - NOR Memory IC | NOR Flash |
| Tamaño de memoria | 4 Mbit | — |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) | 2.7 V to 3.6 V |
| Sector Size | 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) | — |
| Boot Block Position | Top (FT suffix) | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| Encapsulado | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Number of Terminals | 48 | — |
| Package Code / Shape | TSSOP / Rectangular | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | — |
| Packaging | Tray | — |
| Peak Reflow Time | 30 s max | — |
| Companion Access-Time Grade | 55 ns and 70 ns versions available in family | — |
| Density | — | 32 Mbit (33554 kbits) |
| Organización de memoria | — | 2M x 16 |
| Number of Words | — | 2000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Block Architecture | — | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) |
| Estado RoHS | — | ROHS3 Compliant |
| Programming Mode | — | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling |
| Power-Up Mode | — | Read mode (default) |