M29W400FT55N3E vs M29W320DB70N3E 比較

詳細な並列比較: M29W400FT55N3E メーカー: Micron Technology および M29W320DB70N3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ 生産中
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M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W400FT55N3E M29W320DB70N3E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Flash
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.80 $1.95
メモリタイプ Flash - NOR Memory IC NOR Flash
メモリサイズ 4 Mbit —
インターフェース Parallel Parallel
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) 2.7 V to 3.6 V
Sector Size 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) —
Boot Block Position Top (FT suffix) —
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive —
パッケージ 48-TSOP I 48-TSOP I
Number of Terminals 48 —
Package Code / Shape TSSOP / Rectangular —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
湿気感度レベル(MSL) 3 (168 Hours) —
Packaging Tray —
Peak Reflow Time 30 s max —
Companion Access-Time Grade 55 ns and 70 ns versions available in family —
Density — 32 Mbit (33554 kbits)
メモリ構成 — 2M x 16
Number of Words — 2000 k
Bits per Word — 16 bits
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
Block Architecture — Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type)
RoHS ステータス — ROHS3 Compliant
Programming Mode — Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling
Power-Up Mode — Read mode (default)

データシート&リソース

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