M29W400FT55N3E vs M29W320DB70N3E Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W400FT55N3E от Micron Technology и M29W320DB70N3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ Активен
Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W400FT55N3E M29W320DB70N3E
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Flash
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,80 $1,95
Тип памяти Flash - NOR Memory IC NOR Flash
Размер памяти 4 Mbit —
Интерфейс Parallel Parallel
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) 2.7 V to 3.6 V
Sector Size 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) —
Boot Block Position Top (FT suffix) —
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive —
Корпус 48-TSOP I 48-TSOP I
Number of Terminals 48 —
Package Code / Shape TSSOP / Rectangular —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 Hours) —
Packaging Tray —
Peak Reflow Time 30 s max —
Companion Access-Time Grade 55 ns and 70 ns versions available in family —
Density — 32 Mbit (33554 kbits)
Организация памяти — 2M x 16
Number of Words — 2000 k
Bits per Word — 16 bits
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
Block Architecture — Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type)
Статус RoHS — ROHS3 Compliant
Programming Mode — Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling
Power-Up Mode — Read mode (default)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену