M29W400FT55N3E vs M29W320DB70N3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W400FT55N3E par Micron Technology et M29W320DB70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W400FT55N3E | M29W320DB70N3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Flash |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,80 | $1,95 |
| Type de mémoire | Flash - NOR Memory IC | NOR Flash |
| Taille de mémoire | 4 Mbit | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) | 2.7 V to 3.6 V |
| Sector Size | 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) | — |
| Boot Block Position | Top (FT suffix) | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| Boîtier | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Number of Terminals | 48 | — |
| Package Code / Shape | TSSOP / Rectangular | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) | — |
| Packaging | Tray | — |
| Peak Reflow Time | 30 s max | — |
| Companion Access-Time Grade | 55 ns and 70 ns versions available in family | — |
| Density | — | 32 Mbit (33554 kbits) |
| Organisation de la mémoire | — | 2M x 16 |
| Number of Words | — | 2000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Block Architecture | — | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) |
| Statut RoHS | — | ROHS3 Compliant |
| Programming Mode | — | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling |
| Power-Up Mode | — | Read mode (default) |