M29W800FB70ZA3SF vs M29W800FB70ZA3SE Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29W800FB70ZA3SF por Micron Technology y M29W800FB70ZA3SE por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29W800FB70ZA3SF M29W800FB70ZA3SF - 8Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70ZA3SF - 8Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70ZA3SF ✓ Activo
Micron Technology
M29W800FB70ZA3SE M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE Obsolete

Comparación de especificaciones

Parámetro M29W800FB70ZA3SF M29W800FB70ZA3SE
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,45 $1,12
Density 8 Mb (1 MB) —
Memory Organization 1M x 8 / 512K x 16 —
Tipo de interfaz Parallel —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Boot Block Location Bottom boot (FB) —
Encapsulado 48-TFBGA (6x8) 48-TFBGA (6 x 8 mm)
Ball Pitch [DATA_NEEDED: ball pitch] —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Byte/Word Organization Pin Yes (BYTE pin selects x8/x16) —
Programming Time [DATA_NEEDED: programming time] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
XIP Support Yes (parallel random-access, execute-in-place capable) —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Reel Option Available (M29W800FB70ZA3SF TR) —
Tipo de memoria — NOR Flash, Parallel
Tamaño de memoria — 8 Mbit
Organización de memoria — 1 M x 8 / 512 K x 16
Tensión de alimentación — 3 V / 3.3 V (2.7 V to 3.6 V class)
Technology — SLC NOR
Boot Block Architecture — Bottom boot block (FB)
Interfaz — Parallel, address/data bus
Qualification — AEC-Q100 automotive
Packaging — Tray
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: ICC read]
Standby Current — [DATA_NEEDED: ICC standby]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL]

Hojas de datos y recursos

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