M29W800FB70ZA3SF vs M29W800FB70ZA3SE Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29W800FB70ZA3SF par Micron Technology et M29W800FB70ZA3SE par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29W800FB70ZA3SF M29W800FB70ZA3SF - 8Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70ZA3SF - 8Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70ZA3SF ✓ Actif
Micron Technology
M29W800FB70ZA3SE M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE Obsolete

Comparaison des spécifications

Paramètre M29W800FB70ZA3SF M29W800FB70ZA3SE
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,45 $1,12
Density 8 Mb (1 MB) —
Memory Organization 1M x 8 / 512K x 16 —
Type d'interface Parallel —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Boot Block Location Bottom boot (FB) —
Boîtier 48-TFBGA (6x8) 48-TFBGA (6 x 8 mm)
Ball Pitch [DATA_NEEDED: ball pitch] —
Température de fonctionnement -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Byte/Word Organization Pin Yes (BYTE pin selects x8/x16) —
Programming Time [DATA_NEEDED: programming time] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
XIP Support Yes (parallel random-access, execute-in-place capable) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Reel Option Available (M29W800FB70ZA3SF TR) —
Type de mémoire — NOR Flash, Parallel
Taille de mémoire — 8 Mbit
Organisation de la mémoire — 1 M x 8 / 512 K x 16
Tension d'alimentation — 3 V / 3.3 V (2.7 V to 3.6 V class)
Technology — SLC NOR
Boot Block Architecture — Bottom boot block (FB)
Interface — Parallel, address/data bus
Qualification — AEC-Q100 automotive
Packaging — Tray
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: ICC read]
Standby Current — [DATA_NEEDED: ICC standby]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL]

Fiches techniques et ressources

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