M29W800FB70ZA3SF vs M29W800FB70ZA3SE Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29W800FB70ZA3SF von Micron Technology und M29W800FB70ZA3SE von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29W800FB70ZA3SF M29W800FB70ZA3SF - 8Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70ZA3SF - 8Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70ZA3SF ✓ Aktiv
Micron Technology
M29W800FB70ZA3SE M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE Obsolete

Spezifikationsvergleich

Parameter M29W800FB70ZA3SF M29W800FB70ZA3SE
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Obsolete
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,45 $1,12
Density 8 Mb (1 MB) —
Memory Organization 1M x 8 / 512K x 16 —
Schnittstellentyp Parallel —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Boot Block Location Bottom boot (FB) —
Gehäuse 48-TFBGA (6x8) 48-TFBGA (6 x 8 mm)
Ball Pitch [DATA_NEEDED: ball pitch] —
Betriebstemperatur -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Montageart Surface Mount Surface Mount
Byte/Word Organization Pin Yes (BYTE pin selects x8/x16) —
Programming Time [DATA_NEEDED: programming time] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
XIP Support Yes (parallel random-access, execute-in-place capable) —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Reel Option Available (M29W800FB70ZA3SF TR) —
Speichertyp — NOR Flash, Parallel
Speichergröße — 8 Mbit
Speicherorganisation — 1 M x 8 / 512 K x 16
Versorgungsspannung — 3 V / 3.3 V (2.7 V to 3.6 V class)
Technology — SLC NOR
Boot Block Architecture — Bottom boot block (FB)
Schnittstelle — Parallel, address/data bus
Qualification — AEC-Q100 automotive
Packaging — Tray
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: ICC read]
Standby Current — [DATA_NEEDED: ICC standby]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL]

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