M29W800FB70ZA3SF vs M29W800FB70ZA3SE Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29W800FB70ZA3SF por Micron Technology e M29W800FB70ZA3SE por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29W800FB70ZA3SF M29W800FB70ZA3SF - 8Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70ZA3SF - 8Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70ZA3SF ✓ Ativo
Micron Technology
M29W800FB70ZA3SE M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE Obsolete

Comparação de especificações

Parâmetro M29W800FB70ZA3SF M29W800FB70ZA3SE
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Obsolete
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,45 $1,12
Density 8 Mb (1 MB) —
Memory Organization 1M x 8 / 512K x 16 —
Tipo de interface Parallel —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Boot Block Location Bottom boot (FB) —
Encapsulamento 48-TFBGA (6x8) 48-TFBGA (6 x 8 mm)
Ball Pitch [DATA_NEEDED: ball pitch] —
Temperatura de operação -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Byte/Word Organization Pin Yes (BYTE pin selects x8/x16) —
Programming Time [DATA_NEEDED: programming time] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
XIP Support Yes (parallel random-access, execute-in-place capable) —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Reel Option Available (M29W800FB70ZA3SF TR) —
Tipo de memória — NOR Flash, Parallel
Tamanho da memória — 8 Mbit
Organização da memória — 1 M x 8 / 512 K x 16
Tensão de alimentação — 3 V / 3.3 V (2.7 V to 3.6 V class)
Technology — SLC NOR
Boot Block Architecture — Bottom boot block (FB)
Interface — Parallel, address/data bus
Qualification — AEC-Q100 automotive
Packaging — Tray
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: ICC read]
Standby Current — [DATA_NEEDED: ICC standby]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL]

Fichas técnicas e recursos

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