MD7P19130HR3 vs MD7P19130HSR3 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MD7P19130HR3 por NXP Semiconductors y MD7P19130HSR3 por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MD7P19130HR3 MD7P19130HR3 - 40W, 1990 MHz RF Power LDMOS | NXP

MD7P19130HR3 - 40W, 1990 MHz RF Power LDMOS | NXP

MD7P19130HR3 ✓ Activo
NXP Semiconductors
MD7P19130HSR3 MD7P19130HSR3 - 40W, 1.93-1.99GHz RF Power MOSFET | NXP

MD7P19130HSR3 - 40W, 1.93-1.99GHz RF Power MOSFET | NXP

MD7P19130HSR3 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MD7P19130HR3 MD7P19130HSR3
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $69,50 $65,10
Tipo de transistor LDMOS (Dual), N-Channel Enhancement-Mode Lateral LDMOS (Dual), Lateral N-Channel RF Power MOSFET
Frequency Range 1.93 GHz to 1.99 GHz 1930 MHz to 1990 MHz
Typical Drain Voltage (VDD) 28 V —
Drain Voltage - Rated 65 V —
Quiescent Drain Current (IDQ) 1250 mA 1250 mA
Output Power (Avg, W-CDMA) 40 W —
Power Gain 20 dB (typical at Pout = 40 W) 20 dB typical at 1987.5 MHz
Drain Efficiency 30% (typical at Pout = 40 W, W-CDMA) 30% typical at 40 W, 1987.5 MHz
ACPR -36 dBc at 5 MHz offset (3.84 MHz channel) —
Input Signal PAR 7.5 dB at 0.01% CCDF 7.5 dB @ 0.01% probability on CCDF
Output Signal PAR 6 dB at 0.01% CCDF —
Encapsulado / Carcasa NI-780-4 (Case 465M-01, Style 1), ceramic flange NI-780S-4L (CASE 465M-01, STYLE 1), ceramic flanged
Tipo de montaje Surface Mount (bolt-down flange) Chassis-mount (bolt-down) with ceramic lid
Technology Airfast LDMOS, lateral N-channel NXP HV7 LDMOS
Estado RoHS [DATA_NEEDED: rohs status from manufacturer] Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) Rated — 65 V
Operating Drain Voltage (VDD) — 28 V (typical)
Output Power (Pout) — 40 W average (W-CDMA, single-carrier)
ACPR (5 MHz offset, 3.84 MHz channel) — -36 dBc typical
Device Output Signal PAR — 6 dB @ 0.01% probability on CCDF
Operating Mode — Single-carrier W-CDMA, Class AB

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