MJ3055 vs MJ2955 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MJ3055 por Seme LAB y MJ2955 por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro MJ3055 MJ2955
Marca Seme LAB onsemi
Categoría Transistors Transistors
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,49 $1,40
Polarity NPN PNP (complement of 2N3055)
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO) 60 V —
Maximum Collector Current (IC) 10 A —
Encapsulado TO-3 (hermetically sealed metal can) TO-3 (TO-204-3) metal case
Technology Bipolar (BJT), silicon NPN —
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation PD] —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: hFE range] 20 to 70 (at IC = 4 A, VCE = 4 V)
Frecuencia de transición (ft) [DATA_NEEDED: fT] 4 MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage [DATA_NEEDED: VCE(sat)] —
Tipo de montaje Through Hole Chassis / Through-hole bolt-down
Hermetic Sealing Yes (metal can) —
Screening Options BS, CECC, JAN, JANTX, JANTXV, JANS (per Seme LAB) —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Complementary PNP Type MJ2955 —
Typical Applications General-purpose amplifier and switching —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Tipo de transistor — PNP
Tensión colector-emisor (Vceo) — 60 V
Tensión colector-base (Vcbo) — 60 V
Tensión emisor-base (Vebo) — 7 V
Continuous Collector Current (IC) — 15 A
Continuous Base Current (IB) — 7 A
Power Dissipation (PD) — 115 W at 25 °C case
Junction-to-Case Thermal Resistance (θJC) — 1.52 °C/W
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)) — 1.1 V typical (at IC = 15 A)
Temperatura de unión de funcionamiento — -65 °C to +200 °C

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