MJ3055 vs MJ2955 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MJ3055 por Seme LAB e MJ2955 por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | MJ3055 | MJ2955 |
|---|---|---|
| Marca | Seme LAB | onsemi |
| Categoria | Transistors | Transistors |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,49 | $1,40 |
| Polarity | NPN | PNP (complement of 2N3055) |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO) | 60 V | — |
| Maximum Collector Current (IC) | 10 A | — |
| Encapsulamento | TO-3 (hermetically sealed metal can) | TO-3 (TO-204-3) metal case |
| Technology | Bipolar (BJT), silicon NPN | — |
| Power Dissipation | [DATA_NEEDED: power dissipation PD] | — |
| DC Current Gain (hFE) | [DATA_NEEDED: hFE range] | 20 to 70 (at IC = 4 A, VCE = 4 V) |
| Frequência de transição (ft) | [DATA_NEEDED: fT] | 4 MHz |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | [DATA_NEEDED: VCE(sat)] | — |
| Tipo de montagem | Through Hole | Chassis / Through-hole bolt-down |
| Hermetic Sealing | Yes (metal can) | — |
| Screening Options | BS, CECC, JAN, JANTX, JANTXV, JANS (per Seme LAB) | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Complementary PNP Type | MJ2955 | — |
| Typical Applications | General-purpose amplifier and switching | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Tipo de transistor | — | PNP |
| Tensão coletor-emissor (Vceo) | — | 60 V |
| Tensão coletor-base (Vcbo) | — | 60 V |
| Tensão emissor-base (Vebo) | — | 7 V |
| Continuous Collector Current (IC) | — | 15 A |
| Continuous Base Current (IB) | — | 7 A |
| Power Dissipation (PD) | — | 115 W at 25 °C case |
| Junction-to-Case Thermal Resistance (θJC) | — | 1.52 °C/W |
| Tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) | — | 1.1 V typical (at IC = 15 A) |
| Temperatura de junção de operação | — | -65 °C to +200 °C |