MJ3055 vs MJ2955 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MJ3055 par Seme LAB et MJ2955 par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre MJ3055 MJ2955
Marque Seme LAB onsemi
Catégorie Transistors Transistors
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,49 $1,40
Polarity NPN PNP (complement of 2N3055)
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO) 60 V —
Maximum Collector Current (IC) 10 A —
Boîtier TO-3 (hermetically sealed metal can) TO-3 (TO-204-3) metal case
Technology Bipolar (BJT), silicon NPN —
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation PD] —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: hFE range] 20 to 70 (at IC = 4 A, VCE = 4 V)
Fréquence de transition (ft) [DATA_NEEDED: fT] 4 MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage [DATA_NEEDED: VCE(sat)] —
Type de montage Through Hole Chassis / Through-hole bolt-down
Hermetic Sealing Yes (metal can) —
Screening Options BS, CECC, JAN, JANTX, JANTXV, JANS (per Seme LAB) —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Complementary PNP Type MJ2955 —
Typical Applications General-purpose amplifier and switching —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Type de transistor — PNP
Tension collecteur-émetteur (Vceo) — 60 V
Tension collecteur-base (Vcbo) — 60 V
Tension émetteur-base (Vebo) — 7 V
Continuous Collector Current (IC) — 15 A
Continuous Base Current (IB) — 7 A
Power Dissipation (PD) — 115 W at 25 °C case
Junction-to-Case Thermal Resistance (θJC) — 1.52 °C/W
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) — 1.1 V typical (at IC = 15 A)
Température de jonction en fonctionnement — -65 °C to +200 °C

Fiches techniques et ressources

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